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这项研究基于二维材料肖特基结的高信噪比电子和光电器件

该论文采用金属电极机械堆叠到多层硒化铟（InSe）纳米片上构建了二维（2D）肖特基结，通过对肖特基接触界面的优化获得超低反向电流、高探测率的肖特基光电二极管。InSe肖特基二极管具有低于pA的超小反向漏电流和超过106的整流比。这项工作为研究基于二维材料肖特基结的高信噪比电子和光电器件提供了新的思路
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chanong22年10月12日

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