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这项研究基于二维材料肖特基结的高信噪比电子和光电器件
该论文采用金属电极机械堆叠到多层硒化铟（InSe）纳米片上构建了二维（2D）肖特基结，通过对肖特基接触界面的优化获得超低反向电流、高探测率的肖特基光电二极管。InSe肖特基二极管具有低于pA的超小反向漏电流和超过106的整流比。这项工作为研究基于二维材料肖特基结的高信噪比电子和光电器件提供了新的思路- 10
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湖南大学二维材料因其超薄的厚度及新颖的电、光及光电特性
近年来二维材料因其超薄的厚度及新颖的电、光及光电特性受到了广泛关注。上发表研究论文，采用范德华集成方法将n型硫化镉和p型黑磷垂直堆垛起来构筑了p-n结二极管。输运特性测试表明，该p-n结器件表现出高的整流比（8×103）和低的理想因子（1.所制备的硫化镉/黑磷异质结器件将会在新一代纳米电子、光电子器- 5
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